主要功能：
大
高达750 mW
紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW
锗 800 - 1650 nm，高达500 mW
衰减器选择
OD0.3: 50% 传输(PH100-SiUV)
OD1: 10% 传输
OD2: 1% 传输
高度
全新PH100-Si-HA大幅降低校准不确定因素
校准
波长选择 1 nm一格
智能接口 包含所有的校准数据
规格：
测量能力
平均功率1
36 mW
噪声等效功率2
10 pW
光谱范围：350 - 1080 nm
典型升起时间：0.2 sec
功率校准不确定性：
±6.0 % (350 - 399 nm)
±2.0 % (400 - 449 nm)
±1.5 % (450 - 940 nm)
±2.0 % (941 - 980 nm)
±5.0 % (981 - 1049 nm)
±7.0 % (1050 - 1080 nm)峰值灵敏度：
0.5 A/W @ 980 nm
1. 1064 nm。查看其他波长的功率曲线。
2. 980 nm。标称值。实际值取决于环境电磁干扰和波长。
损坏阈：
平均功率密度 100 W/cm²
孔径：10 mm
吸收器：Si
尺寸：38.1Ø x 27.4D mm
重量：0.13 kg
距传感器表面距离：13.7 mm
注意：具体请咨询，网上标价不作为实际出售。
如果想了解更多产品信息以及货期，可致电我司咨询，青岛森泉光电有限公司。
我司提供可靠的产品和完善的服务，为您提供光电帮助。
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