泰克4200A-SCS参数分析仪
主要性能指标
I-V 源测量单元(SMU)
- ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块
- 100 fA测量分辨率
- 选配前端放大器提供了 10 aA测量分辨率
- 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量
- 四象限操作
- 2 线或 4 线连接
C-V 多频率电容单元(CVU)
- AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)
- 1 kHz - 10 MHz 频率范围
- ± 30 V (60 V差分)内置DC偏置源,可以扩展到± 210 V(420 V 差分)
- 选配 CVIV 多通道开关,在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式I-V 超快速脉冲测量单元(PMU)
- 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道
- 200 MSa/s,5 ns 采样率
- ±40 V (80 V p-p),±800 mA
- 瞬态波形捕获模式
- 任意波形发生器 Segment ARB® 模式,支持多电平脉冲波形,10 ns 可编程分辨率
高压脉冲发生器单元(PGU)
- 两个高速脉冲电压源通道
- ±40 V (80 V p-p),± 800 mA
- 任意波形发生器 Segment ARB®模式,支持多电平脉冲波形,10 ns 可编程分辨率I-V/C-V 多通道开关模块 (CVIV)
- 在 I-V测量和 C-V 测量之间简便切换,无需重新布线或抬起探针
- 把 C-V测量移动到任意端子,无需重新布线或抬起探针远程前端放大器/ 开关模块(RPM)
- 在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换
- 把 4225-PMU的电流灵敏度扩展到数十皮安
- 降低电缆电容效应
为材料、半导体器件和工艺开发提供*秀的参数分析仪
使用强大的Clarius 软件,可以更加快速的完成I-V, C-V 和脉冲I-V 测试,结果清晰明了
泰克4200A-SCS参数分析仪
4200A-SCS 仪器和模块
型号 | 说明 | 主要测量 | 范围 | 测量分辨率 |
4200-SMU | 中等功率源测量单元 | DC I-V 超低频率 C-V 准静态 C-V | ±100 mA, ±210 V | 0.2 mV, 100 fA |
4210-SMU | 高功率源测量单元 | ±1 A, ±210 V | 0.2 mV, 100 fA | |
4200-PA | 远程前端放大器模块 | 扩展所有 SMU 的电流范围 | 0.2 mV, 10 aA | |
1 kHz - 10 MHz | ||||
4210-CVU | 电容电压单元 | AC 阻抗 C-V, C-f, C-t | ±30 V 内置DC 偏置装置(60 V 差分) 使用 SMU 扩展直流偏置电压至 | - |
±210V | ||||
4200A-CVIV | I-V/C-V 多通道 开关模块 | DC I-V 和 C-V 自动切换 | - | - |
脉冲式 I-V SegmentARBR® 多电平脉冲 瞬态波形捕获 | ±40 V (80 V p-p), ±800 mA 200 MSa/s 同时测量电流和电压 | |||
4225-PMU | 超快速脉冲测量单元 | 2048 个唯yi段 | 75 nA | |
20 ns 脉宽仅输出时 | ||||
60 ns 脉宽输出同时测流时 | ||||
4225-RPM | 远程前段放大器 / 开关模块 | DC I-V、C-V、脉冲式 I-V 间自动切换 | 扩展 4225-PMU 单元的电流范围 | 200 pA |
4220-PGU | 高压脉冲发生器单元 | 脉冲式电压源 Segment ARB® 多电平脉冲 | ±40 V (80 Vp-p) 2048 个唯yi段 | - |
接地单元 | 内置低噪声接地单元 | - | 三同轴连接 : 2.6 A 接线柱 : 9.5 A | - |
典型应用
MOSFET, BJT 晶体管
材料特性分析
非易失性存储设备
电阻率系数和霍尔效应测量
NBTI/PBTI
III-V 族器件
失效分析
纳米器件
二极管和pn 联结
太阳能电池
传感器
MEMS 器件
电化学
LED 和OLED
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