高纯金属铝颗粒 3*3mm电子束蒸镀芯片镀膜专用铝粒 蒂姆新材料
Co-F3501 | 电解钴 片状 | 99.95% 1-10mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Co-I3504 | 电积钴 块状 | 99.95% 40*40*5mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Co-G3533 | 钴 颗粒 | 99.95% φ3*3mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
W-G3536 | 钨 颗粒 | 99.95% φ3*6mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Ta-G3533 | 钽 颗粒 | 99.95% φ3*3mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Nb-G3533 | 铌 颗粒 | 99.95% φ3*3mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Mo-G3533 | 钼 颗粒 | 99.95% φ3*3mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Si-I5011 | 多晶硅 块状 | 99.999% 不规则块状 | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
In-G4501 | 铟 颗粒 | 99.995% 1-3mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Zr-I2402 | 海绵锆 块状 | 99.4% 3-25mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Hf-I2402 | 海绵铪 块状 | 99.4% 3-25mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
Ge-G5006 | 锗 颗粒 | 99.999% 3-5mm | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
La-I3011 | 镧 块状 | 99.9% 不规则块状 | 蒂姆新材料 | 真空熔炼 |
一,物理性质
化学符号:Al 外 观:银白色
原 子 量:26.98154 a
蒸发温度:1220℃
密 度:2.7g/cm3
熔 点:660℃
沸 点:2467℃
汽化温度:1082℃
电 阻 率/μΩ?cm:2.66
电阻温度系数/℃-1:4.20×10-3
溶 解 于:,碱类
蒸发方式:钨丝或钼舟
蒸发源材料(丝、片):W
坩 埚:BN、TiC/C、TiB2-BN
性 能:铝膜从紫外区到红外区具有平坦而且很高的反射率,铝膜对基地的附着力比较强,由于铝膜表面总是存在着一层透明的Al2O3薄膜的保护,所以铝膜的机械强度和化学稳定性都比较好。通常真 空蒸发制备的铝膜呈银灰色,但有时也呈黑色。蒸发源,基地为氧化硅薄膜(100nm厚),蒸镀铝料的纯度为99.999%。合金及相湿、钨多股绞合较好;加工性能好,可加工成任意形状;
应 用:保护膜,反射膜,增透膜
用 途:超纯铝用于制造光电子存储媒体;作为集成电路的配线;
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