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高纯金属铝颗粒 3*3mm电子束蒸镀芯片镀膜专用铝粒 蒂姆新材料

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  • 更新时间:2022-05-26 17:47:30
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产品简介

高纯金属铝颗粒3*3mm电子束蒸镀芯片镀膜专用铝粒蒂姆新材料Co-F3501电解钴片状99

详情介绍

  高纯金属铝颗粒 3*3mm电子束蒸镀芯片镀膜专用铝粒 蒂姆新材料

Co-F3501电解钴 片状99.95% 1-10mm蒂姆新材料真空熔炼
Co-I3504电积钴 块状99.95% 40*40*5mm蒂姆新材料真空熔炼
Co-G3533钴 颗粒99.95% φ3*3mm蒂姆新材料真空熔炼
W-G3536钨 颗粒99.95% φ3*6mm蒂姆新材料真空熔炼
Ta-G3533钽 颗粒99.95% φ3*3mm蒂姆新材料真空熔炼
Nb-G3533铌 颗粒99.95% φ3*3mm蒂姆新材料真空熔炼
Mo-G3533钼 颗粒99.95% φ3*3mm蒂姆新材料真空熔炼
Si-I5011多晶硅 块状99.999% 不规则块状蒂姆新材料真空熔炼
In-G4501铟 颗粒99.995% 1-3mm蒂姆新材料真空熔炼
Zr-I2402海绵锆 块状99.4% 3-25mm蒂姆新材料真空熔炼
Hf-I2402海绵铪 块状99.4% 3-25mm蒂姆新材料真空熔炼
Ge-G5006锗 颗粒99.999% 3-5mm蒂姆新材料真空熔炼
La-I3011镧 块状99.9% 不规则块状蒂姆新材料真空熔炼

  一,物理性质

  化学符号:Al 外 观:银白色

  原 子 量:26.98154 a

  蒸发温度:1220℃

  密 度:2.7g/cm3

  熔 点:660℃

  沸 点:2467℃

  汽化温度:1082℃

  电 阻 率/μΩ?cm:2.66

  电阻温度系数/℃-1:4.20×10-3

  溶 解 于:,碱类

  蒸发方式:钨丝或钼舟

  蒸发源材料(丝、片):W

  坩 埚:BN、TiC/C、TiB2-BN

  性 能:铝膜从紫外区到红外区具有平坦而且很高的反射率,铝膜对基地的附着力比较强,由于铝膜表面总是存在着一层透明的Al2O3薄膜的保护,所以铝膜的机械强度和化学稳定性都比较好。通常真 空蒸发制备的铝膜呈银灰色,但有时也呈黑色。蒸发源,基地为氧化硅薄膜(100nm厚),蒸镀铝料的纯度为99.999%。合金及相湿、钨多股绞合较好;加工性能好,可加工成任意形状;

  应 用:保护膜,反射膜,增透膜

  用 途:超纯铝用于制造光电子存储媒体;作为集成电路的配线;

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