Au-M-4x4，B-M-1030nm-2x2，LPF-900-5x5，LPF-900-5x5-25-BATOP反射镜-进口长通滤光片-产地德国-深圳维尔克斯光电有限公司

如果需要尺寸只有几毫米的反射镜或长通滤波器，那么可以在单晶砷化镓衬底上生产这种装置。单晶砷化镓的热导率非常好，高达55w / (m * k) ，由于其立方晶体结构，可以被切割成小的矩形晶片。德国BATOP公司的单晶砷化镓基底产品主要分为：宽带镀金膜反射镜，AlAs / GaAs布拉格反射镜，900nm长通滤光片。

BATOP还可以在砷化镓基底上提供生长AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多种材料的高质量外延薄膜层。

宽带镀金膜反射镜：

如果需要尺寸仅为几mm的非常小的宽带镜，那么镀金的GaAs芯片是合适的。作为反射金层的基板的单晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好导热率。它可以切割成小的正方形或矩形芯片。镀金膜反射镜可用作波长> 800 nm的宽带反射器。随着波长的增加，反射率还会不断增加。BATOP提供未安装的金镜，标准基板厚度为450μm

可用芯片面积：

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根据要求定制尺寸

镀金膜反射镜型号：

型号	规格
Au-M-4x4	• Thin gold film on single crystalline GaAs • Chip area: 4 mm x 4 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 70
Au-M-2x2	• Thin gold film on single crystalline GaAs • Chip area: 2 mm x 2 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 60
Au-M-1.3x1.3	• Thin gold film on single crystalline GaAs • Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 50

AlAs / GaAs布拉格反射镜

如果需要尺寸只有几毫米的非常小的高反射率反射镜，那么 GaAs 芯片上的单晶 AlAs / GaAs布拉格反射镜是合适的。单晶砷化镓晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好热导率。方便切割成各种尺寸，海纳光学提供标准基片厚度为450μm的未安装布拉格反射镜

可用芯片面积：

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根据要求定制尺寸

1030nm AlAs / GaAs布拉格反射镜型号：

型号	规格
B-M-1030nm-4x4	• Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs • Central wavelength λ = 1030 nm • Chip area: 4 mm x 4 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 70
B-M-1030nm-2x2	• Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs • Central wavelength λ = 1030 nm • Chip area: 2 mm x 2 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 60
B-M-1030nm-1.3x1.3	• Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs • Central wavelength λ = 1030 nm • Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 50

900nm长通滤波片

长通吸收滤光片是用来去除长波长激光信号中的短波长光(例如剩余的泵浦光)。

我们的长通滤波器使用半绝缘砷化镓晶体上的外延半导体吸收层。这种晶圆材料可以根据客户的需要切成长方形的小片。短波长的光被滤光片吸收，然后转换成热量。为了去除热量，必须使用适当的金属安装件如散热器。BATOP提供标准基片厚度为625μm的未安装长通滤波器。

可用芯片区域:

5.0 mm x 5.0 mm

4.0毫米 x4.0毫米

2.0 mm x 2.0 mm

900nm长通滤光片型号：

LPF-900-5x5	LPF-900-4x4	LPF-900-2x2
在GaAs衬底上使用900 nm长通滤波片	GaAs衬底上900 nm的长通滤波片	GaAs衬底上的900 nm长通滤波片
阻带λ<880 nm	阻带λ<880 nm	阻带λ<880 nm
通带λ> 950 nm	通带λ> 950 nm	通带λ> 950 nm
芯片面积：5 mm x 5 mm	芯片面积：4 mm x 4 mm	芯片面积：2 mm x 2 mm
芯片厚度：625μm	芯片厚度：625μm	芯片厚度：625μm

5.0 mm × 5.0 mm 过滤器用1 / 2"或1"铜散热器，或定制尺寸

LPF-900-5x5-12.7gc	LPF-900-5x5-25.4gc
1/2“铜散热片上的900nm长通滤波器	1英寸铜散热片上的长通滤波器900nm
芯片面积5mmx 5mm	芯片面积5mmx 5mm
散热片外径12.7mm	散热片外径25.4mm米
中心孔直径4mm的散热片	中心孔直径4 mm的散热片
安装：胶合	安装：胶合

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

BATOP可在砷化镓基底上提供生长 AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多种材料的高质量外延薄膜层，用于 GaAs 晶片的不同应用。某些应用需要快速时间响应器件，如光学探测器、饱和吸收器或光电导天线。我们提供低温外延的生长设备，响应时间约为1 ps。BATOP提供的GaAs衬底上生长的一个或两个单层的砷化镓。

参数：

GaAs（砷化镓）晶圆直径: 2"或4"

膜层厚度: 5μm