产品简介
N沟道SiMOSFETIRLB3036PBF,270A,Vds=60V,3针TO-220AB封装通道类型N大连续漏极电流270A大漏源电压60V大漏源电阻值2mΩ大栅阈值电压2
详情介绍
N沟道 Si MOSFET IRLB3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3针 TO-220AB封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 270 A |
大漏源电压 | 60 V |
大漏源电阻值 | 2 mΩ |
大栅阈值电压 | 2.5V |
小栅阈值电压 | 1V |
大栅源电压 | ±16 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 3 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 380000 mW |
高度 | 9.02mm |
尺寸 | 10.67 x 4.83 x 9.02mm |
长度 | 10.67mm |
Board Level Components | Y |
典型关断延迟时间 | 110 ns |
典型输入电容值@Vds | 11210 pF@ 50 V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 4.83mm |
典型栅极电荷@Vgs | 91 nC @ 4.5 V |
低工作温度 | -55 °C |
典型接通延迟时间 | 66 ns |
高工作温度 | +175 °C |
系列 | HEXFET |
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