产品简介
N沟道SiMOSFETIRLB8743PBF,150A,Vds=30V,3针TO-220AB封装通道类型N大连续漏极电流150A大漏源电压30V大漏源电阻值3mΩ大栅阈值电压2
详情介绍
N沟道 Si MOSFET IRLB8743PBF, 150 A, Vds=30 V, 3针 TO-220AB封装
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 150 A |
| 大漏源电压 | 30 V |
| 大漏源电阻值 | 3 mΩ |
| 大栅阈值电压 | 2.35V |
| 小栅阈值电压 | 1.35V |
| 大栅源电压 | ±20 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 140000 mW |
| 高度 | 9.02mm |
| 宽度 | 4.83mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型输入电容值@Vds | 5110 pF@ 15 V |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 9.02mm |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns |
| Board Level Components | Y |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.67mm |
| 典型接通延迟时间 | 23 ns |
| 系列 | HEXFET |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 4.5 V |
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