产品简介
N沟道SiMOSFETSPB17N80C3,17A,Vds=800V,3针TO-263封装通道类型N大连续漏极电流17A大漏源电压800V大漏源电阻值290mΩ大栅阈值电压3
详情介绍
N沟道 Si MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3针 TO-263封装
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 17 A |
| 大漏源电压 | 800 V |
| 大漏源电阻值 | 290 mΩ |
| 大栅阈值电压 | 3.9V |
| 小栅阈值电压 | 2.1V |
| 大栅源电压 | ±20 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 227 W |
| Board Level Components | Y |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 9.45mm |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V |
| 高度 | 4.57mm |
| 系列 | CoolMOS C3 |
| 典型输入电容值@Vds | 2300 pF @ 100 V |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.31mm |
| 尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns |
| 典型关断延迟时间 | 72 ns |
| 晶体管材料 | Si |
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