N沟道 Si MOSFET IRF820PBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3针 TO-220AB封装
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 2.5 A |
| 大漏源电压 | 500 V |
| 大漏源电阻值 | 3 Ω |
| 小栅阈值电压 | 2V |
| 大栅源电压 | ±20 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 50 W |
| 高度 | 9.01mm |
| 高工作温度 | +150 °C |
| Board Level Components | Y |
| 典型输入电容值@Vds | 360 pF@ 25 V |
| 典型关断延迟时间 | 33 ns |
| 宽度 | 4.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.41mm |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
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