P沟道SiMOSFETIRFP9140NPBF,23A,Vds=100V,3针TO-247AC封装 通道类型P大连续漏极电流23A大漏源电压100V大漏源电阻值117mΩ大栅阈值电压4V小栅阈值电压2V大栅源电压±20V封装类型TO-247AC安装类型通孔引脚数目3晶体管配置单通道模式增强类别功率MOSFET大功率耗散140W长度15
P沟道 Si MOSFET IRFP9140NPBF, 23 A, Vds=100 V, 3针 TO-247AC封装
| 通道类型 | P |
| 大连续漏极电流 | 23 A |
| 大漏源电压 | 100 V |
| 大漏源电阻值 | 117 mΩ |
| 大栅阈值电压 | 4V |
| 小栅阈值电压 | 2V |
| 大栅源电压 | ±20 V |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 140 W |
| 长度 | 15.9mm |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 高度 | 20.3mm |
| Board Level Components | Y |
| 典型关断延迟时间 | 51 ns |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF @ 25 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 97 nC @ 10 V |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.3mm |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| 晶体管材料 | Si |
| 尺寸 | 15.9 x 5.3 x 20.3mm |
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