P沟道 Si MOSFET IRLU9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3针 IPAK封装
通道类型 | P |
大连续漏极电流 | 20 A |
大漏源电压 | 55 V |
大漏源电阻值 | 105 mΩ |
大栅阈值电压 | 1V |
小栅阈值电压 | 1V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | IPAK |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 79 W |
高工作温度 | +175 °C |
系列 | HEXFET |
高度 | 6.22mm |
Board Level Components | Y |
典型输入电容值@Vds | 660 pF@ 50 V |
典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |
低工作温度 | -40 °C |
晶体管材料 | Si |
典型接通延迟时间 | 9.5 ns |
长度 | 6.73mm |
尺寸 | 6.73 x 2.39 x 6.22mm |
典型关断延迟时间 | 21 ns |
宽度 | 2.39mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
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