产品简介
N沟道SiMOSFETSTH310N10F7-6,180A,Vds=100V,7针H2PAK封装通道类型N大连续漏极电流180A大漏源电压100V大漏源电阻值2
详情介绍
N沟道 Si MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7针 H2PAK封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 180 A |
大漏源电压 | 100 V |
大漏源电阻值 | 2.3 mΩ |
大栅阈值电压 | 4.5V |
小栅阈值电压 | 2.5V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | H2PAK |
安装类型 | 表面贴装 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 7 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 315 W |
典型关断延迟时间 | 148 ns |
典型输入电容值@Vds | 12800 pF @ 25 V |
典型接通延迟时间 | 62 ns |
典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 10.4mm |
高工作温度 | +175 °C |
系列 | STripFET H7 |
高度 | 4.8mm |
Board Level Components | Y |
晶体管材料 | Si |
尺寸 | 15.25 x 10.4 x 4.8mm |
长度 | 15.25mm |
低工作温度 | -55 °C |
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