双 N/P沟道 Si MOSFET FDD8424H, 6.5 A,9 A, Vds=40 V, 5针 TO-252封装
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一*技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 *的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
通道类型 | N,P |
大连续漏极电流 | 6.5 A,9 A |
大漏源电压 | 40 V |
大漏源电阻值 | 24 mΩ,54 mΩ |
大栅阈值电压 | 3V |
小栅阈值电压 | 1V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-252 |
安装类型 | 表面贴装 |
晶体管配置 | 共漏极 |
引脚数目 | 5 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 3100 mW |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
长度 | 6.73mm |
高工作温度 | +150 °C |
高度 | 2.39mm |
Board Level Components | Y |
宽度 | 6.22mm |
每片芯片元件数目 | 2 |
晶体管材料 | Si |
典型接通延迟时间 | 7 ns |
低工作温度 | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V(N 沟道),17 nC @ 10 V(P 沟道) |
典型输入电容值@Vds | 750 pF@ 20 V, 1000 pF@ 20 V |
典型关断延迟时间 | 17 ns, 20 ns |
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