产品简介
N沟道SiMOSFETIRFR220NPBF,5A,Vds=200V,3针DPAK封装通道类型N大连续漏极电流5A大漏源电压200V大漏源电阻值600mΩ大栅阈值电压4V小栅阈值电压2V大栅源电压±20V封装类型DPAK安装类型表面贴装引脚数目3晶体管配置单通道模式增强类别功率MOSFET大功率耗散43W长度6
详情介绍
N沟道 Si MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3针 DPAK封装
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 5 A |
| 大漏源电压 | 200 V |
| 大漏源电阻值 | 600 mΩ |
| 大栅阈值电压 | 4V |
| 小栅阈值电压 | 2V |
| 大栅源电压 | ±20 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 43 W |
| 长度 | 6.73mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| Board Level Components | Y |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns |
| 典型输入电容值@Vds | 300 pF@ 25 V |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 高度 | 2.39mm |
| 系列 | HEXFET |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 典型接通延迟时间 | 6.4 ns |
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