STP80NF10
N沟道 Si MOSFET STP80NF10, 80 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 80 A |
大漏源电压 | 100 V |
大漏源电阻值 | 15 mΩ |
大栅阈值电压 | 4V |
小栅阈值电压 | 2V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220 |
安装类型 | 通孔 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 3 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 300 W |
尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
典型关断延迟时间 | 116 ns |
典型输入电容值@Vds | 5500 pF@ 25 V |
典型栅极电荷@Vgs | 135 nC @ 10 V |
低工作温度 | -55 °C |
宽度 | 4.6mm |
典型接通延迟时间 | 26 ns |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
Board Level Components | Y |
高度 | 9.15mm |
系列 | STripFET II |
高工作温度 | +175 °C |
长度 | 10.4mm |
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