P沟道 Si MOSFET NDP6020P, 24 A, Vds=20 V, 3针 TO-220封装
| 通道类型 | P |
| 大连续漏极电流 | 24 A |
| 大漏源电压 | 20 V |
| 大漏源电阻值 | 80 mΩ |
| 小栅阈值电压 | 0.4V |
| 大栅源电压 | ±8 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 大功率耗散 | 60 W |
| 低工作温度 | -65 °C |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| 晶体管材料 | Si |
| 尺寸 | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 高度 | 16.3mm |
| Board Level Components | Y |
| 长度 | 10.67mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ -5 V |
| 典型关断延迟时间 | 120 ns |
| 典型输入电容值@Vds | 1590 pF@ -10 V |
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