N沟道 Si MOSFET STP40NF10L, 40 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 40 A |
大漏源电压 | 100 V |
大漏源电阻值 | 33 mΩ |
大栅阈值电压 | 2.5V |
小栅阈值电压 | 1V |
大栅源电压 | ±17 V |
封装类型 | TO-220 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 150 W |
高工作温度 | +175 °C |
晶体管材料 | Si |
尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
低工作温度 | -65 °C |
长度 | 10.4mm |
系列 | STripFET |
典型接通延迟时间 | 25 ns |
高度 | 9.15mm |
典型栅极电荷@Vgs | 46 nC @ 5 V |
典型输入电容值@Vds | 2300 pF@ 25 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型关断延迟时间 | 64 ns |
宽度 | 4.6mm |
Board Level Components | Y |
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