产品简介
N沟道SiMOSFETIRFP4568PBF,171A,Vds=150V,3针TO-247AC封装通道类型N连续漏极电流171A漏源电压150V漏源电阻值6mΩ栅阈值电压5V最小栅阈值电压3V栅源电压±30V封装类型TO-247AC安装类型通孔晶体管配置单引脚数目3通道模式增强类别功率MOSFET功率耗散517000mW每片芯片元件数目1宽度5
详情介绍
N沟道 Si MOSFET IRFP4568PBF, 171 A, Vds=150 V, 3针 TO-247AC封装
| 通道类型 | N |
| 连续漏极电流 | 171 A |
| 漏源电压 | 150 V |
| 漏源电阻值 | 6 mΩ |
| 栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 栅源电压 | ±30 V |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 功率耗散 | 517000 mW |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.31mm |
| 典型关断延迟时间 | 47 ns |
| 尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
| 长度 | 15.87mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型接通延迟时间 | 27 ns |
| 工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 151 nC @ 10 V |
| 典型输入电容值@Vds | 10470 pF@ 50 V |
| 工作温度 | +175 °C |
| 系列 | HEXFET |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 20.7mm |
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