产品简介
技术参数品牌：ON型号：FDMS86101批次：21+数量：5000制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：Power-56-8晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：100VId-连续漏极电流：12
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | FDMS86101 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | Power-56-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 12.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 55 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 6 mm |
| 系列： | FDMS86101 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5 mm |
| 下降时间： | 7 ns |
| 上升时间： | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 27 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns |
| 单位重量： | 68.100 mg |
- 上一篇： L6599ADTR 电源控制器/监视器 ST 批次2
- 下一篇： TJA1040T/CM 集成电路、处理器、微控制
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。