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技术参数品牌：ON型号：MMBT3904LT1G批次：21+数量：5000类别：分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个制造商：onsemi晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（值）：200mA电压-集射极击穿（值）：40V不同 Ib、Ic时 Vce饱和压降（值）：300mV@5mA
| 品牌： | ON |
| 型号： | MMBT3904LT1G |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 5000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 |
| 制造商： | onsemi |
| 晶体管类型： | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（值）： | 200 mA |
| 电压 - 集射极击穿（值）： | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（值）： | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 值： | 300 mW |
| 频率 - 跃迁： | 300MHz |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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