产品简介
技术参数品牌：ON型号：FDC638P封装：SOT23-6批次：20+数量：5000制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SSOT-6通道数量：1Channel晶体管极性：P-ChannelVds-漏源极击穿电压：20VId-连续漏极电流：4
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | FDC638P |
| 封装： | SOT23-6 |
| 批次： | 20+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SSOT-6 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 4.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 48 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 12 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.6 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | FDC638P |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.6 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 15 S |
| 下降时间： | 9 ns |
| 上升时间： | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 33 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9 ns |
| 零件号别名： | FDC638P_NL |
| 单位重量： | 30 mg |
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