产品简介
技术参数品牌:安森美型号:NTD2955T4G数量:5000制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-4晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:12ARdsOn-漏源导通电阻:180mOhmsVgs-栅极-源极电压:-20V
详情介绍
技术参数
品牌: | 安森美 |
型号: | NTD2955T4G |
数量: | 5000 |
制造商: | onsemi |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-4 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 12 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 180 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 15 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 55 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 48 ns |
正向跨导 - 最小值: | 8 S |
高度: | 2.38 mm |
长度: | 6.73 mm |
上升时间: | 45 ns |
系列: | NTD2955 |
晶体管类型: | MOSFET |
典型关闭延迟时间: | 10 ns |
典型接通延迟时间: | 6.22 mm |
宽度: | 340 mg |
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