技术参数
品牌: | ST |
型号: | STP30N10F7 |
数量: | 500 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 32 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 24 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4.5 V |
Qg-栅极电荷: | 19 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 50 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | STripFET |
配置: | Single |
系列: | STP30N10F7 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | STMicroelectronics |
正向跨导 - 最小值: | - |
开发套件: | - |
下降时间: | 5.6 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 17.5 ns |
工厂包装数量: | 1000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 22 ns |
典型接通延迟时间: | 12 ns |
单位重量: | 2.240 g |
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