产品简介
技术参数品牌：ST型号：STGP15M65DF2数量：500制造商：STMicroelectronics产品种类：IGBT晶体管RoHS：是技术：Si封装/箱体：TO-220-3安装风格：ThroughHole配置：Single集电极—发射极电压VCEO：650V集电极—射极饱和电压：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STGP15M65DF2 |
| 数量： | 500 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.55 V |
| 栅极/发射极电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 30 A |
| Pd-功率耗散： | 136 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| 系列： | STGP15M65DF2 |
| 集电极连续电流 Ic： | 30 A |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 栅极—射极漏泄电流： | +/- 250 uA |
| 产品类型： | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | IGBTs |
| 单位重量： | 2 g |
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