技术参数
品牌: | ST |
型号: | STY100NM60N |
批次: | 2018 |
数量: | 500 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | Max247-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 74 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 29 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Pd-功率耗散: | 625 W |
配置: | Single |
商标名: | MDmesh |
系列: | STY100NM60N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | STMicroelectronics |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 600 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 38 g |
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