产品简介
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IKW75N65ES5数量:3000制造商:Infineon产品种类:IGBT晶体管RoHS:是封装/箱体:TO-247-3安装风格:ThroughHole配置:Single集电极—发射极电压VCEO:650V集电极—射极饱和电压:1
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IKW75N65ES5 |
数量: | 3000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
安装风格: | Through Hole |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 650 V |
集电极—射极饱和电压: | 1.42 V |
栅极/发射极电压: | 20 V |
在25 C的连续集电极电流: | 80 A |
Pd-功率耗散: | 395 W |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 175 C |
系列: | TRENCHSTOP 5 S5 |
高度: | 20.7 mm |
长度: | 15.87 mm |
工作温度范围: | - 40 C to + 175 C |
宽度: | 5.31 mm |
栅极—射极漏泄电流: | 100 nA |
零件号别名: | IKW75N65ES5XKSA1 SP001319684 IKW75N65ES5XKSA1 |
单位重量: | 6.100 g |
- 上一篇: OMAPL138EZWTA3 其它微处理器 TI
- 下一篇: TCM1-63AX+ 电子元器件 MINI_CIRCUIT
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。