产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI7113ADN-T1-GE3数量:87000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:10
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI7113ADN-T1-GE3 |
数量: | 87000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerPAK-1212-8 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 10.8 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 186 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.1 V |
Qg-栅极电荷: | 5.65 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 27.8 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
系列: | Si7113ADN |
商标: | Vishay Semiconductors |
正向跨导 - 最小值: | 8 S |
下降时间: | 1622 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 40 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 22 ns |
典型接通延迟时间: | 35 ns |
单位重量: | 283 mg |
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