技术参数
| 品牌： | Infineon/英飞凌 |
| 型号： | IRFR15N20DTRPBF |
| 封装： | DPAK |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 14000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 17 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 165 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 5.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 27 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 140 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 8.9 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 4 S |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 上升时间： | 32 ns |
| 晶体管类型： | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 9.7 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6.22 mm |
| 宽度： | IRFR15N20DTRPBF SP001555046 |
| 零件号别名： | 330 mg |
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