产品简介
技术参数品牌：TOSHIBA/东芝型号：TK2A65D(STA4,Q,M)封装：TO-220SIS批次：21+数量：20000制造商：ToshibaSemiconductorandStorage系列：π-MOSVIIFET类型：N通道25°C时电流-连续漏极(Id)：2A（Ta）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 |
| 型号： | TK2A65D(STA4,Q,M) |
| 封装： | TO-220SIS |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列： | π-MOSVII |
| FET 类型： | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 2A（Ta） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 3.26 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 4.4V @ 1mA |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 功率耗散（值）： | 30W（Tc） |
| 工作温度： | 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 漏源电压（Vdss）： | 650 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 9 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 380 pF @ 25 V |
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