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技术参数品牌：Infineon/英飞凌型号：IRF9530NPBF封装：TO-220(TO-220-3)批次：21+数量：106000制造商：InfineonTechnologies系列：HEXFET®FET类型：P通道25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）驱动电压（RdsOn
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技术参数
| 品牌： | Infineon/英飞凌 |
| 型号： | IRF9530NPBF |
| 封装： | TO-220(TO-220-3) |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 106000 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 类型： | P 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 14A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 4V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | 79W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss）： | 100 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 58 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 760 pF @ 25 V |
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