技术参数
品牌: | Infineon/英飞凌 |
型号: | IPB180P04P4-03 |
封装: | PG-TO263-7-3 |
批次: | 21+ |
数量: | 1000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PG-TO-263-7 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 180 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.8 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 190 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 150 W |
配置: | Single |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 4.4 mm |
长度: | 10 mm |
系列: | OptiMOS-P2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 9.25 mm |
下降时间: | 81 ns |
上升时间: | 31 ns |
典型关闭延迟时间: | 72 ns |
典型接通延迟时间: | 48 ns |
零件号别名: | IPB180P04P403ATMA1 SP000840202 IPB18P4P43XT IPB180P04P403ATMA1 |
单位重量: | 1.600 g |
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