产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:4N35M封装:DIP-6批次:21+数量:30000制造商:ONSemiconductor产品种类:晶体管输出光电耦合器RoHS:是封装/箱体:PDIP-6输出类型:NPNPhototransistor通道数量:1ChannelIf-正向电流:60mA集电极/发射极电压:30V绝缘电压:7500Vrms集电极/发射极饱和电压:0
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | 4N35M |
封装: | DIP-6 |
批次: | 21+ |
数量: | 30000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 晶体管输出光电耦合器 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | PDIP-6 |
输出类型: | NPN Phototransistor |
通道数量: | 1 Channel |
If - 正向电流: | 60 mA |
集电极/发射极电压: | 30 V |
绝缘电压: | 7500 Vrms |
集电极/发射极饱和电压: | 0.3 V |
Vf - 正向电压: | 1.5 V |
Vr - 反向电压 : | 6 V |
Pd-功率耗散: | 250 mW |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 100 C |
系列: | 4N35M |
配置: | 1 Channel |
高度: | 5.08 mm |
长度: | 8.89 mm |
宽度: | 6.6 mm |
集电极—射极击穿电压: | 100 V |
零件号别名: | 4N35M_NL |
单位重量: | 860 mg |
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