金硅面垒型半导体探测器
概述
我公司生产部分耗尽型金硅面垒半导体探测器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点，适用于对能谱要求高的场合，如氡钍分析仪等，B 系列在 A 系列的窗前镀上一个保护层，克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高，作为放射性强度测量的探测器。
技术规格
型号 |
工作电压 |
耗尽区厚度 μm | 对比ORTEC U-016-300-100 型 探测器 （Am-241 面源） 真空下测量能量分辩率 1.2 | 对比ORTEC U-016-300-100 型 探测器 （Am-241 面源） 真空下测量峰道址202 |
A-AS20 | 5~300VDC | 大于 1000 | 0.7~1.4 | 204~206 |
A-AS26 | 5~300VDC | 大于 1000 | 0.7~1.4 | 204~206 |
B-AS20 | 5~300VDC | 大于 1000 | 4.0~4.9 | 189-191 |
B-AS26 | 5~300VDC | 大于 1000 | 4.2~4.9 | 189-191 |
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