产品简介
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IPB65R110CFDA封装：TO263批号：23+数量：15000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-263-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：650VId-连续漏极电流：31
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IPB65R110CFDA |
| 封装： | TO263 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 15000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 99 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | V |
| Qg-栅极电荷： | 118 nC |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | CoolMOS CFDA |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | mm |
| 下降时间： | 6 ns |
| 上升时间： | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 68 ns |
| 典型接通延迟时间： | 16 ns |
| 零件号别名： | IPB65R110CFDAATMA1 SP000896402 IPB65R11CFDAXT IPB65R110CFDAATMA1 |
| 单位重量： | g |
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