技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPA65R400CE |
封装: | TO220 |
批号: | 23+ |
数量: | 15000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220FP-3 |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
高度: | mm |
长度: | mm |
宽度: | mm |
单位重量: | 2 g |
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技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPA65R400CE封装:TO220批号:23+数量:15000制造商:Infineon产品种类:MOSFET安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220FP-3Vds-漏源极击穿电压:650V高度:16
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPA65R400CE |
封装: | TO220 |
批号: | 23+ |
数量: | 15000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220FP-3 |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
高度: | mm |
长度: | mm |
宽度: | mm |
单位重量: | 2 g |
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