产品简介
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：BSM50GB60DLC封装：MODULE批号：23+数量：480制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：是配置：Dual集电极—发射极电压VCEO：600V集电极—射极饱和电压：2
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | BSM50GB60DLC |
| 封装： | MODULE |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 480 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压： | V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 75 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| Pd-功率耗散： | 280 W |
| 封装 / 箱体： | 32 mm |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 工作温度： | + 125 C |
| 高度： | mm |
| 长度： | 94 mm |
| 宽度： | 34 mm |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 栅极/发射极电压： | 20 V |
| 零件号别名： | BSM50GB60DLCHOSA1 SP000100471 BSM50GB60DLCHOSA1 |
| 单位重量： | 180 g |
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