产品简介
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：FS75R07N2E4封装：MODULE批号：23+数量：480制造商：Infineon产品种类：IGBT模块RoHS：是配置：IGBT-Inverter集电极—发射极电压VCEO：650V集电极—射极饱和电压：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | FS75R07N2E4 |
| 封装： | MODULE |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 480 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | IGBT-Inverter |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压： | V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 75 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| Pd-功率耗散： | 250 W |
| 封装 / 箱体： | Module |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 栅极/发射极电压： | 20 V |
| 零件号别名： | FS75R07N2E4BOSA1 SP000843932 FS75R07N2E4BOSA1 |
| 单位重量： | 180 g |
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