深圳市皓鼎半导体有限公司
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技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：FS820R08A6P2B封装：MODULE批号：23+数量：12650制造商：Infineon产品种类：IGBT模块配置：6-Pack集电极—发射极电压VCEO：750V集电极—射极饱和电压：1
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | FS820R08A6P2B |
| 封装： | MODULE |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 12650 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| 配置： | 6-Pack |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 750 V |
| 集电极—射极饱和电压： | V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 450 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| Pd-功率耗散： | 714 W |
| 封装 / 箱体： | Module |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 栅极/发射极电压： | 20 V |
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