高精度光刻曝光机是掩模对准曝光机,Mask aligner，是光掩膜板和硅片对准的紫外曝光机。它支持高精度掩模运动，具有光刻机精密光学对准系统，高精度光刻曝光机是光刻应用中非接触的性产品。
非接触型光刻曝光机(MSMA-1200M)
特点
光刻曝光机可用于直径达6英寸的晶圆片。
“用于多产品生产领域的研究和发展”。
“前沿技术”。
采用*非接触式掩模对准系统。
掩模对准时不会损坏掩膜和晶圆。
间隙精度显著提高。
电脑监控采用交互式操作。
根据“辅助线”可以进行高精度定位。
掩模对准曝光机SMA-600M是用于研发和多种产品生产领域的手动紫外曝光机，采用了清晰的光学系统和*非接触式校准装置。通过接触或靠近模式，晶圆曝光可达150mm。该紫外曝光机系统对于各种电子设备，例如化合物半导体的LD，LED，和微型机械的制造过程，包括压力传感器等来说，是曝光过程的。
桌面型(MEMA-800)
特点
- 经济型，紧凑型和高级别性能的光刻机
- 视图中聚焦图像可看到两个校准标记。
- 曝光用集成镜头。
- LED照明灯
应用
（研发中心和大学的微机械发展）
驱动器，压力传感器，加速度传感器，电力设备等。
用于倒装芯片/ BGA/ CSP的曝光。
用于光学/高速通信组件的曝光。
规格
| Alignment Scope | |
| 目标分离 | 15 ~ 75mm |
| 总放大倍数 | 100X |
| 观察用的照明灯 | 红色 LED (l=633 nm) |
| 工作台的X，Y轴的移动范围 | ±5 mm |
| 调整 | ±5° |
| Utility | |
| 主机和汞灯的电源 | AC 100V 50/60Hz 15A |
| 真空源 | 低于 21.3 Kpa (从大气压到-80 Kpa ) |
| Exposure Unit | |
| 镜头 | 集成镜头 |
| 汞灯 | 250W 超高压蒸汽汞灯 |
| 有效曝光区域 | zui大 100 mm |
| 强度分布 | ±5% 或更少 |
| 照明强度 | 20 mW/cm2 (405 nm) |
| 曝光时间控制 | 数字定时器和旋转电磁阀 |
| 汞灯照明单元 | AC 110V |
Double View Mask Aligner双视野
| MPEM-16M （适用于直径达4英寸的晶圆） | MPEM-12M （适用于直径达6英寸的晶圆） | MPEM-1600 （适用于直径达8英寸的晶圆） |
MPEM系列是高精度双视野紫外曝光机，包括在顶部的对准光学系统和在底部的晶圆，因此装顶部表面可进行接触、软接触和接近图案，在底部晶圆可校准图案。高分辨率光学系统，在顶侧和底侧安装了对称的10X物镜，因此可精确对准以掩模和晶圆。成对的物镜之间的间隔距离可以调节，所以可以自由地对准不规则形的晶圆。
* 除了上述这些，还有机动型MPEM-2000/4000和全自动型MPEM-8M/12M 。
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