扩散硅压力变送器测量原理
PT系列扩散硅压力变送器系列扩散硅压力传感器系全部采用进口芯片,经过精心的结构设计,信号处理和组装,并按照国家标准和企业标准,进行测试而生产出来的新一代压力变送器。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,在单晶硅片的特定晶向上,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)再激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器。
扩散硅压力变送器主要特点
l 输出稳定灵敏度高;
l 精度高,重复性好;
l 良好的温度特性;
l 316L不锈钢隔离膜片结构
l 高可靠性与抗干扰性能。
技术参数
型号 | PT10S | PT20S |
测量范围 | 表压:0~1KPa~100MPa 绝压:0~100KPa~35MPa 负压:-0.1MPa~2MPa | -0.1~0/0.01~60Mpa |
精度等级 | 0.2% | 0.5 级 |
稳定性 | ±0.25%FS/3年 | ±0.2%FS/年 |
输出 | 4~20mADC | 4~20mA |
电源 | 12~36VDC | 24VDC |
温度范围 | -40℃~+85℃ | 补偿温度:-10℃~70℃,工作温度:-20℃~85℃ 介质温度:-20℃~85℃,储存温度:-40℃~125℃ |
防护等级 | IP65 | IP65 |
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