N沟道 MOSFET NDFP03N150CG, 5 A, Vds=1500 V, 3针 TO-220F封装
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 5 A |
| 大漏源电压 | 1500 V |
| 大漏源电阻值 | 10.5 Ω |
| 大栅阈值电压 | 4V |
| 大栅源电压 | ±30 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 32 W |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| 高度 | 4.7mm |
| 宽度 | 10.16mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型关断延迟时间 | 148 ns |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V |
| 典型输入电容值@Vds | 650 pF@ 30 V |
| 长度 | 28.85mm |
| 尺寸 | 28.85 x 10.16 x 4.7mm |
| 晶体管材料 | Si |
| Board Level Components | Y |
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