N沟道 Si MOSFET STD7N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3针 DPAK封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 6 A |
大漏源电压 | 800 V |
大漏源电阻值 | 1.2 Ω |
大栅阈值电压 | 5V |
小栅阈值电压 | 3V |
大栅源电压 | ±30 V |
封装类型 | DPAK |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 110 W |
典型接通延迟时间 | 11.3 ns |
长度 | 6.6mm |
高度 | 2.4mm |
低工作温度 | -55 °C |
Board Level Components | Y |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 6.2mm |
典型栅极电荷@Vgs | 13.4 nC @ 10 V |
典型输入电容值@Vds | 360 pF @ 100 V |
系列 | MDmesh K5 MDmesh K5, SuperMESH5 SuperMESH5 |
高工作温度 | +150 °C |
典型关断延迟时间 | 23.7 ns |
晶体管材料 | Si |
尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。