IKW20N60H3, N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 100kHz, 3针 TO-247封装
IGBT 分立
Infineon 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。
IGBT 分立件和模块
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
| 大连续集电极电流 | 40 A |
| 大集电极-发射极电压 | 600 V |
| 大栅极发射极电压 | ±20V |
| 大功率耗散 | 170 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 开关速度 | 100kHz |
| 配置 | 单 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 长度 | 16.13mm |
| 宽度 | 5.21mm |
| 高度 | 21.1mm |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| 低工作温度 | -40 °C |
| 额定能量 | 1.07mJ |
| 栅极电容 | 1100pF |
| Board Level Components | Y |
| 高工作温度 | +175 °C |
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