您好,欢迎来到淘生意平台!请 |免费注册

产品展厅本站服务收藏该商铺

深圳市创捷思电子有限公司

免费会员
手机逛
深圳市创捷思电子有限公司

Product Display

产品展示

当前位置:深圳市创捷思电子有限公司>>三极管>>其他三极管>> IRF1310NPBF创捷思 场效应管 IRF1310NPBF

创捷思 场效应管 IRF1310NPBF

产品二维码
参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:IRF1310NPBF
  • 品牌:
  • 产品类别:其他三极管
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2022-06-10 10:32:21
  • 浏览次数:4
收藏
举报

联系我时,请告知来自 淘生意平台

深圳市创捷思电子有限公司

其他

  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:796条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2022-06-09
  • 最近登录:2022-06-09
  • 联系人:范钊伟
产品简介

N沟道SiMOSFETIRF1310NPBF,42A,Vds=100V,3针TO-220AB封装提供庞大且全面的MOSFET设备组合,其中包括CoolMOS、OptiMOS和StrongIRFET系列

详情介绍



N沟道 Si MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3针 TO-220AB封装

提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类 佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

通道类型N
大连续漏极电流42 A
大漏源电压100 V
大漏源电阻值36 mΩ
大栅阈值电压4V
小栅阈值电压2V
大栅源电压±20 V
封装类型TO-220AB
安装类型通孔
晶体管配置
引脚数目3
通道模式增强
类别功率 MOSFET
大功率耗散160 W
典型栅极电荷@Vgs110 nC @ 10 V
低工作温度-55 °C
典型接通延迟时间11 ns
每片芯片元件数目1
晶体管材料Si
尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
宽度4.69mm
Board Level ComponentsY
高度8.77mm
高工作温度+175 °C
长度10.54mm
典型关断延迟时间45 ns
典型输入电容值@Vds1900 pF@ 25 V
25 V
上一篇: 直插PIC12F1572-I/P丝印12F1572微控制
下一篇: JDY-31蓝牙3.0模块 SPP透传2.4GHZ 兼容
我要评论
文明上网,理性发言。(您还可以输入200个字符)

所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。

请选择省份

  • 安徽
  • 北京
  • 福建
  • 甘肃
  • 广东
  • 广西
  • 贵州
  • 海南
  • 河北
  • 河南
  • 黑龙江
  • 湖北
  • 湖南
  • 吉林
  • 江苏
  • 江西
  • 辽宁
  • 内蒙古
  • 宁夏
  • 青海
  • 山东
  • 山西
  • 陕西
  • 上海
  • 四川
  • 天津
  • 新疆
  • 西藏
  • 云南
  • 浙江
  • 重庆
  • 香港
  • 澳门
  • 台湾
  • 国外
=
同类优质产品

在线询价

X

已经是会员?点击这里 [登录] 直接获取联系方式

会员登录

X

请输入账号

请输入密码

=

请输验证码

收藏该商铺

X
该信息已收藏!
标签:
保存成功

(空格分隔,最多3个,单个标签最多10个字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我们将在第一时间回复您~