N沟道 Si MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3针 TO-220AB封装
提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类 佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 42 A |
大漏源电压 | 100 V |
大漏源电阻值 | 36 mΩ |
大栅阈值电压 | 4V |
小栅阈值电压 | 2V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 3 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 160 W |
典型栅极电荷@Vgs | 110 nC @ 10 V |
低工作温度 | -55 °C |
典型接通延迟时间 | 11 ns |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
宽度 | 4.69mm |
Board Level Components | Y |
高度 | 8.77mm |
高工作温度 | +175 °C |
长度 | 10.54mm |
典型关断延迟时间 | 45 ns |
典型输入电容值@Vds | 1900 pF@ 25 V |
25 V |
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