N沟道 Si MOSFET AUIRFS8409-7P, 240 A, 522 A, Vds=40 V, 7针 D2PAK封装
COOLiRFET™ 功率 MOSFET
Infineon 的汽车资格 COOLiRFET™ 功率MOSFET 可实现非常低的导通电阻 (RDS(on)),传导损耗非常低,从而高效快速切换大电流信号。 它们在恶劣的信号环境中提供更高的效率、功率密度和可靠性,具有强健的雪崩性能、低传导损耗、快速切换速度和 175°C 高结点温度。
MOSFET 晶体管
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类 佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 240 A, 522 A |
大漏源电压 | 40 V |
大漏源电阻值 | 750 μΩ |
大栅阈值电压 | 3.9V |
小栅阈值电压 | 2.2V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | D2PAK |
安装类型 | 表面贴装 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 7 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 375 W |
晶体管材料 | Si |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
长度 | 10.67mm |
高工作温度 | +175 °C |
高度 | 4.83mm |
Board Level Components | Y |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 9.65mm |
典型关断延迟时间 | 149 ns |
典型输入电容值@Vds | 13975 pF@ 25 V |
典型栅极电荷@Vgs | 305 nC @ 10 V |
低工作温度 | -55 °C |
典型接通延迟时间 | 32 ns |
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