晶圆晶锭寿命测定仪是为晶圆晶锭测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查任务设计的晶圆晶锭少子寿命测试仪器。采用非接触式检测和无损成像（μPCD /MDP(QSS)）设计。
晶圆晶锭寿命测定仪应用
单晶晶圆寿命，多晶晶圆寿命和晶锭寿命测量
适合硅,化合物半导体,氧化物,宽禁带,钙钛矿材料
[ CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge ]
晶圆晶锭寿命测定仪规格参数
产量 gt;240块/天或>720片/天
测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，<4分钟
良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭
质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅
沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)
可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间> 99%
可重复性:> 99.5%
电阻率：可做面扫描，不需经常校准
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