这款晶圆少子寿命测量仪是为晶圆少数载流子复合寿命测量设计的少子寿命测试仪器。
晶圆少子寿命测量仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。其中准稳态光电导寿命测量方法QSSPC非常适合监测多晶硅晶圆,掺杂扩散和低寿命样品。瞬态光电导衰退适合较高少子寿命的晶圆测量。准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术寿命测量也得出隐含开路电压（对照度）曲线，与I-V曲线相当。
晶圆少子寿命测量仪特色
?单键识别硅片的关键特性，包括片材电阻，寿命，陷阱密度，发射极，饱和电流密度，电压
?校准载流子寿命与注入水平产生,结果是普遍的认可的
晶圆少子寿命测量仪应用
主要用途：逐步监测晶圆 以及制造工艺的优化
其他应用：
?监控初始材料质量
?检测过程中的重金属污染
晶圆加工
?表面钝化和发射极掺杂扩散
?使用隐含的I-V测量
晶圆少子寿命测量仪规格参数
可测值:寿命,电阻率,发射极饱和电流密度,陷阱密度,一个太阳Voc
寿命测量范围:100 ns到大于10 ms
测量（分析）模式:准稳态光电导寿命QSSPC、瞬态寿命和广义寿命分析
电阻率测量范围：3–600）欧姆/平方英寸，（未掺杂）
可用光偏压范围：0–50个太阳
典型校准注射范围：10^13~10^16 cm^-3
可用光谱: 白光和红外照明
传感器面积: 40mm直径
样本大小，标准配置: 标准直径：40–210mm
晶圆厚度范围: 10–2000μm（校准）,可测量其他厚度
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