技术参数
品牌: | ON(安森美) |
型号: | BSS84 |
批次: | 19+ |
数量: | 15 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 50 V |
Id-连续漏极电流: | 130 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 10 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 360 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1.2 mm |
长度: | 2.9 mm |
产品: | MOSFET Small Signal |
系列: | BSS84 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 1.3 mm |
商标: | ON Semiconductor / Fairchild |
正向跨导 - 最小值: | 0.6 S |
下降时间: | 6.3 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 6.3 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 10 ns |
典型接通延迟时间: | 2.5 ns |
零件号别名: | BSS84_NL |
单位重量: | 31 mg |
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