产品简介
技术参数品牌：ON/安森美型号：NVMFS5C612NLT1G封装：DFN8批次：21+数量：3000制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SO-FL-8通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：60VId-连续漏极电流：235ARdsOn-漏源导通电阻：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NVMFS5C612NLT1G |
| 封装： | DFN8 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 3000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-FL-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 235 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 91 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 167 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 正向跨导 - 最小值： | 151 S |
| 下降时间： | 18 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 51 ns |
| 工厂包装数量： | 1500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 47 ns |
| 典型接通延迟时间： | 19 ns |
| 单位重量： | 107.200 mg |
- 上一篇： TA2079A 电子元器件 TST/嘉硕 封装SMD
- 下一篇： ZXTR2105FQ-7 电源管理芯片 DIODES/美
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。