产品简介
技术参数品牌：TI/德州仪器型号：CSD17556Q5B封装：VSON8批次：21+数量：5000类别：分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | CSD17556Q5B |
| 封装： | VSON8 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 5000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 34A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 1.4 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1.65V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 39 nC @ 4.5 V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 7020 pF @ 15 V |
| 功率耗散（值）： | 3.1W（Ta），191W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
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