产品简介
技术参数品牌:ON型号:NVMFD5C470NT1G封装:DFN-8批次:21+数量:1380制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:DFN-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:36ARdsOn-漏源导通电阻:11
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NVMFD5C470NT1G |
封装: | DFN-8 |
批次: | 21+ |
数量: | 1380 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DFN-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 36 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 11.7 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 8 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 28 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Dual |
下降时间: | 4.5 ns |
上升时间: | 14 ns |
典型关闭延迟时间: | 16 ns |
典型接通延迟时间: | 8 ns |
单位重量: | 136.090 mg |
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